Nviaid Tesla V100S發布:功耗不變性能提升

上線精力:2019-12-11 08:46:02

      SC 2019超算大時會階段,NVIDIA低調做人推送(song)了(le)新品(pin)一流計(ji)算卡“Tesla V100S”,自然生(sheng)態正是在此之前(qian)Tesla V100的強制升(sheng)級ios版本(ben)。

      Tesla V100最(zui)早的(de)發(fa)布新聞于(yu)20110年(nian)介紹份的(de)GTC 2017立(li)體圖形(xing)大表態發(fa)言稿,基本(ben)概念感(gan)受的(de)Volta伏特組(zu)織(zhi)架構、GV100大管(guan)(guan)理(li)(li)的(de)本(ben)質,臺積電12nm工序制造廠,模(mo)塊化2十億個晶狀(zhuang)體管(guan)(guan),戶型(xing)面積達815平小(xiao)mm,占有5120個CUDA管(guan)(guan)理(li)(li)的(de)本(ben)質、640個Tensor張量管(guan)(guan)理(li)(li)的(de)本(ben)質,首先(xian)基本(ben)概念SXM2形(xing)式(300GB/s NVLink系(xi)統(tong)系(xi)統(tong)總線),太快又增強了(le)PCIe形(xing)式(32GB/s PCIe系(xi)統(tong)系(xi)統(tong)總線)。幾年(nian)多(duo)以往了(le),Tesla V100的(de)狀(zhuang)態依舊(jiu)會難(nan)以觸動(dong),而多(duo)種的(de)Tesla V100S更進(jin)那(nei)步,管(guan)(guan)理(li)(li)的(de)本(ben)質、獨(du)顯(xian)存儲雙方加(jia)速(su),但功能消耗卻沒變。

      Tesla V100S只有PCIe擴展(zhan)卡一種(zhong)形態,雙(shuang)精度浮點性能8.2TFlops(萬億次浮點計算),單精度浮點性能16.4TFlops,深度學習性能130TFlops,相比于(yu)PCIe、SXM2版本的Tesla V100分別提(ti)升了最多17%、5%。

       運存多方面,照樣進行HBM2,使用量固定住在32GB而不能供給16GB發行版,位寬仍為4096-bit,速率從1.75GHz下載加速到2.21GHz,資源帶寬也從900GB/s新增到1134GB/s。

不大大寬帶提速的還,Tesla V100S的工作電壓我依然提升在250W,無可厚非即使加工制造的工藝是不是價值體系搭建都愈加成熟穩重。


      再者,從外看,Tesla V100S的“肩部”背景顏色從草草綠色轉為了富豪金色的,很方便簽別。

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